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Elektrotechnik

FET-Transistor

 

 

Einleitung

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Im Kapitel über den bipolaren Transistor haben wir gesehen, dass der Ausgangsstrom am Kollektor proportional zum Eingangsstrom der Basis ist. Daher wird der bipolare Transistor durch den Strom gesteuert.
Bild:
Die MOSFET-Familie OptiMOS(tm) P2 haben einen kleinen Durchlasswiderstand RDS. Der p-Kanal-MOSFET kann Ströme von 50 A bis zu 180 A Schalten und eignen sich für Verpolungsschutz, zur Steuerung von elektronisch geregelter Servolenkung, elektrischer Handbremse, Scheibenwischer, Klimaanlage und elektrischer Wasser-, Öl oder Benzinpumpe (Infineon).

Der Feldeffekt-Transistor (Field effect transistor oder FET) benutzt nur eine Spannung am Eingang des Transistors, um den Durchflussstrom zu steuern.

Das Verhalten basiert auf dem Effekt vom elektrischen Feld, welches an der Gate-Elektrode G (Basis) generiert wird.

Der Feldeffekt-Transistor ist ein spannungsgesteuerter Transistor.
Zum besseren Verständnis sollten Sie vorgängig die Halbleiterphysik und die elektronischen Bauteile wie Diode und Transistor studieren.
 

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Zusammenfassung

Funktion und Bauarten von Feldeffekt-Transistoren.

Feldeffekttransistoren unterscheiden sich wesentlich von den bipolaren Transistoren. Ihre drei Elektroden heissen Source, Drain und Gate. Die Source ist die Quelle für die Ladungsträger und entspricht dem Emitter eines Transistors, der Drain-Anschluss ist die Abflusselektrode und entspricht dem Kollektor und das Gate ist der Steueranschluss und entspricht der Basis.

Feldeffekttransistoren steuern den Stromfluss zwischen der Source (S) und der Drain (D) mit dem elektrischen Feld, das vom Gate (G) erzeugt wird. Mit diesem Feld kann das Gate zwischen Source und Drain einen leitenden Kanal aufbauen. Dabei kann es sich um einen n- oder p-Kanal handeln.

Wir unterscheiden zwischen Junction-FET (JFET, Sperrschicht-FET), der zwischen dem Gate und dem Source-Drain-Kanal einen sperrenden Übergang hat und selbst isolierend ist. Der Isolated Gate FET (IG-FET, Isolierschicht-FET), welcher eine isolierende Schicht zwischen Gate und dem Source-Drain-Kanal hat. Diese Transistoren werden in MOS-Technologie hergestellt und kurz als MOSFET bezeichnet.  

Quellen

CCInfo Elektronik Kompendium Bildungsserver el-gor.at arcor.de arcor.de DARC

 

Literatur

  • Bauelemente - Elektronik 2, Klaus Beuth, Vogel Buchverlag, ISBN: 3-8023-1438-7
  • Grundschaltung - Elektronik 3, BEuth, Klaus/Schmusch, Wolfgang, ISBN 3-8023-0555-8
  • Elektronik im Kfz, Hamann, Lindemann, Kieser-Verlag, ISBN: 3-8242-4267-2
  • Elektrotechnik-Fiebel, Patrick Schnabel, Books on Demand GmbH, ISBN 3-8311-4590-2
  • Elektronik Grundlagen, Europa Verlag, ISBN 3-8085-3203-3
  • Basiswissen Elektrotechnik, Wolfgang Oberthür, Books Demand GmbH, ISBN 978-3-8391-9273-3
Schlagwörter
Feldeffekt - Transistor - FET - FET-Typen - SFET - JFET - MOSFET - IG-FET - MOS-FET - elektrisch - Feld - unipolar - Source - Gate - Drain - Bulk - Quelle - Tor - Gatter - Senke - Abfluss - Sperrschicht - Isolierschicht - selbstleitend - selbstsperrend - Verarmungstyp - Verarmungsschicht - Anreicherungstyp - Kanalstrich - Inversionsschicht - n-Kanal - p-Kanal - Junction-FET - Drainstrom - Sperrrichtung - Abschnürspannung - Eingangskennlinie - Ausgangskennlinie - Durchbruchbereich - Kondensator - Verstärker - Schaltung - Sourceschaltung - Drainschaltung - Gateschaltung - Arbeitspunkt - Schutzmassnahmen - Kurzschlussring - Planartechnik - Fotolack - Permittivität

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Aktualisierung 20.06.2016 17:12
aktualisiert: 2015-01-31